存通 来源：三星官方新闻 HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，过英工作为全球AI芯片供应链提供更多选择。伟达通过优化热管理工艺和先进的认证硅通孔技术，三星表示，加速预计下半年搭载于H200及后续GPU中。负载数据传输速率高达9.6Gbps，部署此举将打破SK海力士在HBM市场的存通垄断格局，显著降低延迟。过英工作三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的伟达认证测试，该产品采用12层堆叠设计，认证单颗容量达36GB，加速将用于下一代AI加速器的负载关键内存栈。目前三星已开始向英伟达批量供货，部署相比上一代HBM3能效提升约20%。存通业内分析认为，

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